دیتاشیت SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2333DS-T1-GE3
حجم فایل 69.169 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2333DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1100pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@5.3A,4.5V
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه